重大新闻！辽宁锦州：雷击事件警示！户外遇雷雨天气需及时躲避

辽宁锦州：雷击事件警示！户外遇雷雨天气需及时躲避

锦州讯 6月13日晚，辽宁省锦州市锦州北站火车站广场发生雷击事件，两名旅客被雷击中，幸好送医及时，目前两人均无生命危险。

据了解，事发时，两名旅客正打着雨伞行走在广场上，突然一道强光闪过，雷电击中了他们手中的雨伞，两人瞬间倒地。周围群众见状立即拨打急救电话，并将两人送往医院救治。

据医院诊断，两名旅客均 دچار雷击伤，但伤势并不严重，经过治疗后已脱离生命危险。

此次事件也为我们敲响了警钟：雷雨天气时，应尽量减少户外活动，如必须外出，要做好防雷避雷措施，远离高耸物体，不要打伞或使用导电物品，并及时寻找避雷场所躲避。

以下是一些雷雨天气时的防雷避雷注意事项：

• 远离高耸物体，如树木、电线杆、烟囱等，因为这些物体容易被雷击中。
• 不要打伞或使用导电物品，如雨伞、手机、金属球杆等，因为这些物品也容易引雷。
• 及时寻找避雷场所躲避，如建筑物内、地下室、防雷洞等。
• 如果实在无法找到避雷场所，应蹲下身体，双脚并拢，尽量减少与地面的接触面积。
• 不要在室内使用电器，因为雷电可能通过电线进入室内。

希望大家牢记这些防雷避雷知识，平安出行！

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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